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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:360mA 电流:500mA

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2个P沟道 耐压:20V 电流:360mA

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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:360mA 电流:500mA

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2个P沟道 耐压:20V 电流:360mA

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2个N沟道 电流:450mA

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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:310mA 电流:450mA

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2个N沟道 耐压:20V 电流:520mA

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1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:200mA

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1个N沟道+1个P沟道 耐压:30V 电流:220mA

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双N沟道增强模式MOSFET,电流:0.22A,耐压:30V

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2个N沟道 耐压:20V 电流:240mA

N沟道 20V 240mA

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1个N沟道+1个P沟道 耐压:20V 电流:310mA 电流:450mA

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2个N沟道 耐压:20V 电流:450mA

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1个N沟道 耐压:300V 电流:210mA

N沟道,300V,210mA,14Ω@10V

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1个N沟道 耐压:60V 电流:4.1A

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1个P沟道 耐压:250V 电流:205mA

P沟道,250V,205mA

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1个P沟道 耐压:240V 电流:200mA

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1个N沟道 耐压:30V 电流:3.3A

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1个N沟道 耐压:60V 电流:3.6A

N沟道,60V,2.7A,120mΩ@10V

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1个N沟道 耐压:60V 电流:2.5A

N沟道,60V,1.9A,250mΩ@10V