N沟道增强型MOSFET,电流:23.6A,耐压:12V

产品编号： C264090

型号： DMN1003UCA6-7

品牌： DIODES(美台)

封装： X3-DSN3518-6

包装：编带

包装数量： 3000

数量： 0

RoHS： ROHS

参数：漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):23.6A,导通电阻(RDS(on)):3.2mΩ@4.5V,5A,耗散功率(Pd):1.05W

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价格信息

数量	单价
1+	8.22
10+	8.05
30+	7.94
100+	7.83