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N沟道增强型MOSFET,电流:6.6A,耐压:12V
N沟道增强型MOSFET,电流:6.6A,耐压:12V
产品编号:
C3282024
型号:
DMN1016UCB6-7
品牌:
DIODES(美台)
封装:
U-WLB1510-6
包装:
编带
包装数量:
3000
数量:
3000
RoHS:
ROHS
参数:
类型:1个N沟道,漏源电压(Vdss):12V,连续漏极电流(Id):6.6A,导通电阻(RDS(on)):20mΩ@4.5V
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1+
1.98
10+
1.74
30+
1.63
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1.51
500+
1.45
1000+
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