双N沟道增强模式MOSFET,电流:280mA,耐压:50V

产品编号： C3280276

型号： DMN5L06VKQ-7

品牌： DIODES(美台)

封装： SOT-563

包装：编带

包装数量： 3000

数量： 0

RoHS： ROHS

参数：类型:2个N沟道,漏源电压(Vdss):50V,连续漏极电流(Id):280mA,导通电阻(RDS(on)):2.5Ω@2.5V,50mA

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价格信息

数量	单价
1+	1.0233
10+	1.0233
12+	1.0233
200+	0.396
500+	0.3821
1000+	0.3752